نوارهای نیمه‌رسانا با قابلیت استفاده در دستگاه‌های نانوالکترونیک
محققین دانشگاه ملی سنگاپور، برای تولید نوارهای نازک اتمی نیمه‌رسانا، موفق به ابداع نوعی مکانیسم رشد منحصربه‌فرد شده‌اند که می‌تواند با کارایی بالا، در دستگاه‌های نانوالکترونیک مورد استفاده قرار گیرد. این مکانیسم، توسط تیمی از محققین دانشکده‌های فیزیک و شیمی مرکز مواد دو بعدی پیشرفته این دانشگاه «CA2DM»، توسعه یافته است.
در تحقیق صورت گرفته، در راستای دستیابی به روشی برای رشد ساختارهای نانو و میکرو نوارهایی از دی‌سولفید‌مولیبدن، با ضخامت سه اتم و صدها نانومتر عرض، از واکنش بخار گوگرد با مخلوطی از تری‌اکسید‌مولیبدن و نمک کلرید‌سدیم در دمای 700 درجه سانتی‌گراد، استفاده شده است. رشد نوارهای حاصل از این فعل‌وانفعال، در مقایسه با مدل‌های رشد استاندارد متفاوت بوده و می‌توان آن را یک مکانیسم رشد کاملاً متمایز دانست.
بنا بر گزارش وب‌سایت «phys»، به‌کارگیری و تلفیق نیمه‌رساناهای بسیار نازک، مانند لایه‌های تک‌مولکولی دی‌سولفید‌مولیبدن، با توجه به مزایای بالقوه در بهبود عملکرد دستگاه‌های نانوالکترونیک، توجهات بسیاری را به خود جلب نموده است. قابلیت سنتز این دسته نوظهور از مواد با ساختار هندسی مطلوب، موجب تسهیل فرآیند تولید و اجرای آن در مدارهای مجتمع با تراکم بالا شده است. نوارهای حاصل از مکانیسم رشد یاد شده، می‌توانند در ترانزیستورهای میکروسکوپی با کارایی بالا مورد استفاده قرار گیرند، بدون آن‌که در ساخت دستگاه‌های نانوالکترونیک به گام‌های اضافی که معمولاً در روش‌های سنتز فعلی لازم است، نیاز داشته باشد. پیش‌بینی می‌شود بسیاری از مواد دیگر را نیز بتوان با استفاده از یک مدل رشد مشابه تولید نمود که این به معنای، افزایش توانمندی در ساخت نیمه‌هادی‌ها و سازگاری بیشتر در دستگاه‌های نانوالکترونیک با کارایی بالا خواهد بود.
مرجع: «phys»
هنوز نظری وارد نشده است!
نظر خود را ارسال نمایید
پست الکترونیکی شما انتشار پیدا نمی کند.